本书从材料和器件的角度出发，以光伏新能源领域中涉及的半导体器件和材料的测试技术为重点，采用”测试技术原理--测试设备与仪器--关键材料与器件应用--转换效率计算”的知识与技术结构体系，全面概述近年来国内外在光伏新能源与半导体材料测试技术领域中的研究发展现状和技术成果，重点论述典型的光伏与半导体领域测试技术方法与计算方法

本书是面向集成电路制造领域，特别是光刻工艺设备技术岗位需求而精心编写的产教融合型专业教材。全书共有五个项目模块，以“认知—拆装—调试—操作”为主线，主要介绍了光刻机的基本概念、发展历程、核心功能、硬件构成、组态软件及工艺环境要求，系统地阐述了光刻机的拆装规范、关键子系统（如掩模板传输、晶圆传输、光学系统等）的安装与调试

本书以直拉单晶硅生产为主线，先介绍单晶硅基础知识，然后详解核心生产设备直拉单晶炉，涵盖设备结构、工作环境要求、参数设置与使用，然后围绕直拉单晶硅生产全流程展开介绍，从原辅材料的分类、处理与准备，到热系统安装对中、热场调整，再到拆炉装料、抽空熔料、引晶放肩、转肩等径、收尾停炉等具体工艺步骤，还包含拉速与温校曲线设定、埚升

全书共7章，以“基础-理论-机制-技术-应用”为逻辑脉络：第1章概述有机半导体、其掺杂特性及OLED、OPV、OFET等核心器件架构；第2章对比晶体、非晶体与有机半导体的有序/无序差异，解析态密度与局域态，夯实缺陷理论基础；第3章阐述缺陷对载流子输运及材料光学特性的影响；第4章详解ESR、荧光光谱、TSC、DLTS等缺

本书全面系统地阐述了半导体制造的核心工艺——光刻技术的原理、材料、设备与工艺集成。第三版在前两版基础上进行了大幅更新，新增了浸没式光刻、极紫外光刻、多重图形化、计算光刻以及纳米压印等前沿内容，反映了自21世纪以来微纳加工技术的飞速发展。全书由多位国际顶尖专家撰写，涵盖光学成像理论、光刻胶化学、掩模设计、分辨率增强技术、

《功率器件多物理场仿真技术：COMSOL原理与操作实例》以功率器件多物理场仿真技术为主线，以基础理论为核心、COMSOL软件实操为手段，深入浅出地呈现了功率器件基于COMSOL的有限元仿真分析方法与结果。全书可分为基础理论、封装仿真、可靠性仿真三部分：基础理论部分涵盖功率器件核心知识、有限元仿真原理及COMSOL软件实

本书专注于探讨未来超低功耗电子设备所需的半导体器件及相关技术，深入分析了半导体技术在物联网、人工智能等前沿领域所面临的挑战与创新发展方向。首先，书中详尽介绍了纳米级CMOS技术晶体管的演进过程，细致剖析了FinFET等新型结构的优势与局限性，并探讨了负电容场效应晶体管(NCFET)、隧道场效应晶体管(TFET)等先进器

本书讲解了半导体物理与器件的相关知识。主要内容包括：半导体基础原理、空穴、掺杂、PN结的形成，肖特基二极管、发光二极管等常用二极管的原理，BJT、JFET、MOS等常用三极管的原理，运算放大器的原理及应用，以及功率半导体的原理漫谈，最后阐述了半导体未来的发展趋势。

本书共11章。第1章简要介绍了高压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断(GTO)晶闸管结构。第5章致力于分析硅基ICBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IG

本书内容涵盖从硅材料基本特性、多晶硅制造、单晶生长、缺陷理论、晶圆加工成型、外延生长、测量技术，到硅晶圆在各种半导体器件中的应用需求等方面，并加入大量彩色图解与实务制程图示，不仅让专业内容更直观易懂，也更贴近实际制造现场的技术需求。