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功率半导体器件原理及设计

功率半导体器件原理及设计

定  价:69 元

  • 作者:王彩琳主编
  • 出版时间:2025/12/1
  • ISBN:9787111793519
  • 出 版 社:机械工业出版社
  • 中图法分类:TN303 
  • 页码:328页
  • 纸张:
  • 版次:1
  • 开本:26cm
  • 商品库位:
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本书围绕功率半导体器件的基本结构与原理,从培养高层次专业技术人才、不断提高器件设计水平的目标出发,系统地介绍了各种功率半导体器件的结构类型、制作工艺、工作原理、静动态特性及设计方法。内容包括功率二极管(功率PIN二极管、功率SBD、MPS)、功率晶体管(功率双极型晶体管、功率MOSFET、IGBT)、普通晶闸管及其派生器件(GTO、IGCT、MCT),并简单地介绍了功率半导体器件基础以及功率集成技术。
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