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点击返回 当前位置:首页 > 中图法 【TN3 半导体技术】 分类索引
  • 电子相变半导体材料手册
    • 电子相变半导体材料手册
    • 陈吉堃/2025-1-1/科学出版社
    • 本书系统总结具有电子相变特性的过渡族化合物半导体材料体系,详细介绍其晶体结构、电输运与磁性、电子相转变原理、材料合成与潜在应用等。全书共12章,其中第1章总述现有电子相变材料体系以及常见电子相变原理。由于具有相同的价电子数的过渡族元素的化合物中的轨道构型具有一定相近性,第2~11章将进一步按照副族周期元素对三十余种电子

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      定价:¥128  ISBN:9787030809247
  • 光子储备池计算:光学循环神经网络
    • 光子储备池计算:光学循环神经网络
    • (德国)Daniel Brunner(丹尼尔·布鲁纳),(西班牙)Miguel C. Soriano(米格尔·科尔内利斯·索里亚诺),(比利时)Guy Van der Sande(盖伊·范德桑德)/2025-1-1/电子工业出版社
    • 第一章介绍了光子计算机发展的历史以及神经网络的概念。第二章重点介绍了物理储层计算的原理,以及一些与光子计算相关的重要概念——品质因数、拓扑网络、线性和非线性记忆容量。第三章介绍了储层集成的最新技术,主要集中在被动架构的实现,以及如何通过光电探测器实现非线性变换的原理。第四章介绍了大规模光子储层的潜力,重点讨论了几种可以

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      定价:¥79  ISBN:9787121497735
  • 硅基氮化镓外延材料与芯片
    • 硅基氮化镓外延材料与芯片
    • 李国强/2025-1-1/科学出版社
    • 本书共8章。其中,第1章介绍Si基GaN材料与芯片的研究意义,着重分析了GaN材料的性质和Si基GaN外延材料与芯片制备的发展历程。第2章从Si基GaN材料的外延生长机理出发,依次介绍了GaN薄膜、零维GaN量子点、一维GaN纳米线和二维GaN生长所面临的技术难点及对应的生长技术调控手段。第3~7章依次介绍了Si基Ga

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      定价:¥158  ISBN:9787030809582
  • 半导体器件建模与测试实验教程
    • 半导体器件建模与测试实验教程
    • 杜江锋,石艳玲,朱能勇编著/2025-1-1/电子工业出版社
    • 本教程在简要介绍MOSFET场效应晶体管器件结构和工作原理的基础上,全面叙述了MOSFET基本电学特性和二阶效应;介绍了MOSFET器件模型及建模测试结构和方案设计;给出了MOSFETBSIM模型参数提取流程;介绍了半导体器件SPICE模型建模平台EmpyreanXModel,深入介绍了XModel的基本功能和界面;介

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      定价:¥58  ISBN:9787121493713
  • 薄膜晶体管集成电路
    • 薄膜晶体管集成电路
    • 张盛东等/2025-1-1/科学出版社
    • 本书主要介绍薄膜晶体管(TFT)集成电路技术领域的基础知识和作者在该领域的代表性研究成果。内容涵盖图像显示和图像传感器件所需的TFT集成电路技术,如像素TFT电路、行驱动(扫描)TFT电路以及列(数据)驱动TFT电路等。全书共5章,分别为:薄膜晶体管(TFT)概述,有源矩阵液晶显示(AMLCD)TFT电路,有源矩阵有机

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      定价:¥168  ISBN:9787030803139
  • 芯片那些事儿:半导体如何改变世界
    • 芯片那些事儿:半导体如何改变世界
    • 孙洪文 编著/2025-1-1/化学工业出版社
    • 本书将半导体技术60多年的发展史浓缩在有限的篇幅里,通过简明扼要的语言为我们讲述关于芯片的那些事儿。本书主要围绕“史前文明”——电子管时代、“新石器时代”——晶体管时代、“战国时代”——中小规模集成电路时代、“大一统秦朝”——大规模和超大规模集成电路时代、“大唐盛世”——特大规模和巨大规模集成电路时代、“走进新时代”—

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      定价:¥69  ISBN:9787122455291
  • 硅片加工技术
    • 硅片加工技术
    • 王光伟,雷振清,李勤俭主编/2024-12-1/四川科学技术出版社
    • 本书作为职业学院教材,主要讲述了光伏组件制造的基本操作规范与准备工作、电池片的检测、辅助材料的制备、电池片的焊接、划片和叠层操作、层压操作、装框、清洗与固化、组件检测与装箱操作等内容,希望通过理论教学,让学生先从理论上掌握制造光伏组件的关键技术,然后再将理论与实际操作相结合,达到最终提升学生实际动手能力,提升学生就业能

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      定价:¥68  ISBN:9787572716867
  • 氮化镓凹槽阳极器件理论与应用
    • 氮化镓凹槽阳极器件理论与应用
    • 张进成/2024-12-1/科学出版社
    • 氮化镓作为宽禁带半导体的典型代表之一,在电学、光学、力学、抗辐照等方面均表现优异。本书以作者近年来的研究成果为基础,结合国际研究进展,系统介绍了宽禁带氮化镓凹槽阳极结构的物理特性和实现方法,重点讲述了氮化镓凹槽阳极二极管器件。全书共分为8章,内容包括绪论、凹槽阳极GaN肖特基结器件制备工艺、位错免疫的凹槽阳极GaN肖特

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      定价:¥188  ISBN:9787030803894
  • 纳米半导体材料与太阳能电池
    • 纳米半导体材料与太阳能电池
    • 康卓[等]编/2024-12-1/机械工业出版社
    • 本书力图全面深入地介绍太阳能电池的原理、技术与应用,为读者提供一本兼具理论深度和实践指导的权威之作。本书详细阐释了太阳能与太阳能电池的基本物理原理与特性,系统梳理了各类太阳能电池的发展脉络,深入探讨了太阳能电池的测试原理与分析方法,重点介绍了太阳能电池性能提升的前沿技术,进一步阐述了光伏发电系统的设计与应用。

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      定价:¥59  ISBN:9787111776444
  • 大功率IGBT驱动器设计与应用
    • 大功率IGBT驱动器设计与应用
    • 贺之渊,客金坤等编著/2024-12-1/中国电力出版社
    • 本书内容主要内容为概述、IGBT模块电气特性、驱动器设计、IGBT多器件驱动控制技术、驱动器可靠性设计、驱动器试验及测试、大功率IGBT驱动器应用案例。本书系统、深入地阐述了IGBT及其驱动器的技术发展等。

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      定价:¥118  ISBN:9787519891572