本书首先简要阐述近年来新型瞬态电真空半导体光电子器件内涵、特点、研究意义与国内外发展现状，使读者对新型瞬态电真空半导体光电子器件有一个宏观把握和大致了解:接着对影响新型瞬态电真空半导体光电子器件总体设计方案的多种外界约束条件和性能指标进行分析;然后重点论述新型瞬态电真空半导体光电子器件总体情况与发展趋势，并分别详细论述

本书综合了近几年工业界的最新进展和学术界的最新研究成果，详细介绍并讨论了碳化硅功率器件的基本原理、发展现状与趋势、特性及测试方法、应用技术和各应用领域的方案。本书共分为12章，内容涵盖功率半导体器件基础，SiC二极管的主要特性,SiCMOSFET的主要特性，SiC器件与Si器件特性对比，双脉冲测试技术，SiC器件的测试

《薄膜晶体管材料与技术》是战略性新兴领域“十四五”高等教育教材体系——“先进功能材料与技术”系列教材之一。本书归纳薄膜晶体管（TFT）材料、器件及制备技术，总结和梳理TFT相关的基础理论知识，包括材料物理与化学、器件物理、工艺原理以及实际应用设计原理，进一步提出新见解，为TFT技术的发展提供理论指导和方向参考。本书以T

氧化镓(Ga2O3)具有超宽禁带和高临界击穿场强，可满足电力电子系统高功率(密度)、高效率和小型化发展需求，在航空航天、智能电网等领域应用前景广阔，但器件受限于高耐压和低功耗的矛盾关系，且当前对大功率器件及其热稳定性研究较少。为此，本论文在Ga2O3器件新结构与热稳定性方面开展理论和实验创新研究。本研究为氧化镓功率器件

IGCT具有通态压降低、容量大、可靠性高、鲁棒性好等有点，目前已应用在直流断路器、模块化多电平变换器、牵引系统变换器等应用场景。本书围绕IGCT器件，分别展开介绍半导体物理基础及工作原理、阻断特性、开通与导通特性、关断特性、封装、驱动、可靠性及应用。同时，在各章中穿插IGCT的关键工艺技术，如深结推进、边缘终端、质子辐

本书是一本微电子技术方面的入门书籍，全面介绍了半导体器件的基础知识。全书分为三个部分共19章，首先介绍了半导体基础，讲解了半导体物理方面的相关知识以及半导体制备工艺方面的基本概念。书中阐述了pn结、双极结型晶体管（BJT）和其他结型器件的基本物理特性，并给出了相关特性的定性与定量分析。最后，作者讨论了场效应器件，除了讲

本书提供了在各个工艺及系统层次的半导体存储器现状的全面概述。在介绍了市场趋势和存储应用之后，本书重点介绍了各种主流技术，详述了它们的现状、挑战和机遇，并特别关注了可微缩途径。这些述及的技术包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、非易失性存储器(NVM)和NAND闪存。本书还提及了嵌入式存储器

。本册为《半导体工艺原理》，主要内容包括：锗和硅的化学制备与提纯、半导体材料的生长、硅片加工、氧化工艺、薄膜沉积工艺、外延工艺、光刻工艺概述、光刻设备、光刻材料、刻蚀工艺、掺杂工艺等。

本书详细介绍了绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的结构和工作原理、单元结构的设计；整个芯片架构，包括有源区、栅极焊盘和边缘终端；保护电路；用于控制所述器件的栅极驱动电路；电路仿真模型。经过作者的构思和商业化，在过去的40年里，IGBT已成为大部分经济部门电源管理的重要器件。本书提供了各个经济部门中用于每个IGBT应用的电路

本书共7章，主要内容包括绪论、半导体材料属性实验、二极管特性实验、双极型晶体管特性实验、场效应晶体管特性实验、专用半导体特性实验、运算放大器实验。本书涉及的实验分为半导体器件物理理论课程相配套的经典实验、半导体器件物理前沿科技相关的器件实验，以及后续集成电路设计课程衔接的相关实验，形成了基础性实验、设计性实验、综合性实