高电子迁移率晶体管建模理论与实践_高建军著_9787121517495_厦门外图集团有限公司

关于我们

新书资讯

·二十四节气｜立春

·二十四节气｜大寒

·二十四节气｜小寒

·二十四节气｜冬至

·二十四节气｜白露

·二十四节气｜处暑

·二十四节气｜立秋

·二十四节气｜大暑

新书推荐

·马克思国家思想的历史考察

·中国特色生涯教育研究

·数实融合

·我们为什么还没有死掉

·圆的变形

·AI 辅助设计

·从数据分析到经营分析

·国际产业转移的影响因素及动态演

高电子迁移率晶体管建模理论与实践

高电子迁移率晶体管建模理论与实践

定　　价：128 元

作者：高建军著
出版时间：2025/12/1
ISBN：9787121517495
出版社：电子工业出版社

中图法分类：TN32
页码：18,274页
纸张：
版次：1
开本：24cm
商品库位：

9

7

5

8

1

7

7

1

4

2

9

1

5

内容简介

本书是作者在微波和光通信技术领域多年工作、学习、研究和教学过程中获得的知识和经验的总结，内容包括微波网络信号矩阵技术和微波网络噪声矩阵技术，以及以此为基础的微波射频高电子迁移率晶体管建模和测试技术。

你还可能感兴趣

我要评论