超陡亚阈值斜率晶体管是后摩尔时代实现低功耗集成电路的主要技术途径。本书围绕超陡亚阈值斜率晶体管的工作原理、电学特性、紧凑建模及实验制备等方面展开介绍，共七章。第 一 章概述晶体管与集成电路的发展历史、超陡亚阈值斜率晶体管的研究现状和面临挑战等。第 二 章介绍环栅负电容隧穿场效应晶体管的解析模型和工作原理等。第三章重点分析硅基多栅负电容场效应晶体管的解析模型和应用等。第四章讨论2D沟道材料负电容场效应晶体管的实验制备、电学特性和解析建模等。第五章研究负电容氧化物薄膜晶体管实验制备及工艺优化。第六章提出一种新型负电容无结型场效应晶体管，深入分析该器件的数仿真研究和解析模型。第七章详细探讨基于原子阈值开关的混合场效应晶体管的实验制备、电特性、工作机理及应用。 本书的研究成果不仅为超陡亚阈值斜率晶体管的设计和优化提了系统性的理论依据，也为低功耗集成电路的发展提供了新的技术思路。本书可供从事低耗集成电路设计与研究的学者、工程师及相关领域的学生参考。