全书共有5章，首先讲解了包括功率半导体器件基础，如种类、结构、在电路中的作用等；接着阐述了硅功率半导体器件现状，重点聚焦SiC功率半导体器件，并深入探讨了SiC-MOSFET的结构、原理、应用、发展现状、面临的挑战及解决方法，详细论述了其耐受能力指标，如短路、关断等耐受能力，最后讲解了SiC-MOSFET封装技术。

本书聚焦功率半导体器件封装技术，详细阐述了该领域的多方面知识。开篇介绍功率半导体封装的定义、分类，回顾其发展历程，并探讨半导体材料的演进。接着深入剖析功率半导体器件的封装特点，涵盖分立器件和功率模块的多种封装形式。

随着5G通信、新能源汽车（xEV）等前沿技术的蓬勃发展，对高效、高可靠性的功率半导体的需求日益增长，本书正是基于此而诞生的。本书分3篇，共有9章，内容包括SiC功率半导体、GaN功率半导体、金刚石功率半导体、Ga2O3（氧化镓）功率半导体、功率半导体与器件的封装技术、功率半导体与器件的评估、汽车领域新一代功率半导体的实

本书是围绕电子装联企业的岗位需求，以电子装联生产工艺顺序为主线设计典型工作任务，并结合电子信息制造业最新发展成果而编写的理实一体化新形态教材。全书共包含装联准备、手工焊接与返修、表面贴装元器件自动装联、通孔元器件自动装联、基板装联、先进装联技术六个模块。 本书配套提供丰富的数字化教学资源，包括教学课件、微课、操作视频、

本书介绍利用伟晶岩精选钾长石后的尾矿制备多晶硅，并利用测得的硅材料参数进行HIT太阳电池模拟研究。内容包括：提纯尾矿制备高纯石英粉；熔盐电解高纯石英粉制备多晶硅；根据硅材料测得性能参数，利用AMPS和AFORT软件模拟HIT太阳电池光伏性能，从而发现HIT太阳电池的一些变化规律。

本书内容以实用性为出发点，阐释了氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)半导体的原理、制造工艺、特性表征、市场现状以及针对关键应用的设计方法。针对GaN器件，从材料特性、芯片设计、制造工艺和外特性各方面深入分析，介绍了仿真手段和各种典型应用，最后还介绍了目前主流的技术和GaN公司。

本书从光刻机到下一代光刻技术，从光刻胶材料到多重图形化技术，全面剖析每一步技术革新如何推动半导体产业迈向纳米级精细加工的新高度。本书共6篇19章，内容包括光刻机、激光光源、掩膜技术、下一代光刻技术发展趋势、EUV光刻技术、纳米压印光刻技术、电子束刻蚀技术与设备开发、定向自组装（DSA）技术、光刻胶材料的发展趋势、化学增

本书首先简要阐述近年来新型瞬态电真空半导体光电子器件内涵、特点、研究意义与国内外发展现状，使读者对新型瞬态电真空半导体光电子器件有一个宏观把握和大致了解:接着对影响新型瞬态电真空半导体光电子器件总体设计方案的多种外界约束条件和性能指标进行分析;然后重点论述新型瞬态电真空半导体光电子器件总体情况与发展趋势，并分别详细论述

本书综合了近几年工业界的最新进展和学术界的最新研究成果，详细介绍并讨论了碳化硅功率器件的基本原理、发展现状与趋势、特性及测试方法、应用技术和各应用领域的方案。本书共分为12章，内容涵盖功率半导体器件基础，SiC二极管的主要特性,SiCMOSFET的主要特性，SiC器件与Si器件特性对比，双脉冲测试技术，SiC器件的测试

氧化镓(Ga2O3)具有超宽禁带和高临界击穿场强，可满足电力电子系统高功率(密度)、高效率和小型化发展需求，在航空航天、智能电网等领域应用前景广阔，但器件受限于高耐压和低功耗的矛盾关系，且当前对大功率器件及其热稳定性研究较少。为此，本论文在Ga2O3器件新结构与热稳定性方面开展理论和实验创新研究。本研究为氧化镓功率器件