本书是集成电路领域本科教育教学改革试点工作（简称"101计划"）系列教材之一。全书共10章，分为两大部分。第一部分共6章，系统阐释半导体器件物理基础，涵盖集成电路中基本器件PN结二极管、双极晶体管、结型场效应晶体管、MOSFET以及适用于纳米工艺节点的FinFET、GAA、CFET等核心器件的理论框架基本结构、工作原理

本书详细介绍了许多半导体器件的基本原理和工作方式，以及它们在现代电子学中的作用，并探讨了新兴半导体在未来器件中的重要性。全书共有28章，包括稀磁半导体、半导体类型及其性质、宽禁带半导体、掺杂方法及其影响、半导体器件中的新型材料、有机半导体器件、应用于电化学能源的有机半导体、半导体中的纳米技术、先进低维半导体的研发与加工

本书围绕功率半导体器件的基本结构与原理，从培养高层次专业技术人才、不断提高器件设计水平的目标出发，系统地介绍了各种功率半导体器件的结构类型、制作工艺、工作原理、静动态特性及设计方法。内容包括功率二极管（功率PIN二极管、功率SBD、MPS）、功率晶体管（功率双极型晶体管、功率MOSFET、IGBT）、普通晶闸管及其派生

本书系统地介绍了碳化硅MOSFET在应用中的关键技术要领及核心问题，重点在于碳化硅MOSFET的封装、特性及测试和驱动，具体内容包括碳化硅器件概述、功率器件封装基础、静动态特性、短路及串并联特性、应用问题及解决方法、栅极驱动和新型栅极驱动等内容。本书内容设置注重前后知识的衔接和逻辑关系，构建系统性知识框架。书中内容主要

本书内容涵盖了光刻技术的多个方面，主要包括：光刻技术概述。光刻基本工艺步骤。光刻胶：深入探讨了光刻胶的存储、成分与功能、分类与选择、参数指标以及特殊的光刻胶和光刻胶的去除方法。光刻相关工艺。

本书内容涵盖了数学、量子力学和能带理论等半导体材料与器件知识的理论准备，半导体材料和器件的基本概念、规律，以及半导体材料与器件的知识应用，力求从理论基础到实际应用，为读者提供全面而深入的知识体系。

本书系统介绍了宽禁带功率器件的应用场景和发展趋势，梳理了宽禁带功率器件开关动态测试的技术需求与难题挑战，阐述了宽禁带功率器件的开关动态测试的电路、系统和方法，分析了宽禁带功率器件用测试仪器的理论模型和标定方法，探讨了高带宽、低杂感的分流器电流探头创新概念，给出了高带宽、高精度的罗氏线圈电流探头设计方法，提出了高带宽、高

本书以半导体工艺和器件的仿真为主线，按照由简入繁、由低及高的原则循序深入，从仿真的数理基础及对TCAD/WebTCAD的认识出发、以半导体工艺基础及器件基础为知识储备，引出对基于WebTCAD的二维工艺仿真及二维器件仿真的详细介绍，并在此基础上介绍WebTCAD的实例库及具体应用，从而达到能熟练使用WebTCAD来进行

本书从半导体材料的认知入手，详细阐述了半导体器件的相关内容与主要类别。接着，介绍了微纳制造技术的作用及发展趋势。最后，重点讲解了半导体器件的微纳制造工艺及其在实际制造中的应用，包括集成电路芯片、MEMS和激光微纳制造等领域。本书注重理论体系与工艺实践的融合，突出关键技术节点与工艺流程的系统梳理。内容兼顾技术前沿与工程应

本书系统介绍了半导体材料的基本概念、基本理论、性能、制备方法、检测与测试、设计及应用。各章内容难易适度，相互联系紧凑，理论联系实际，各章节间层次分明，系统性强。