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本书是编著者结合多年的工程实践、培训经验及积累的资料，并借鉴国内外经典教材、文献和专业网站的文档等编著而成的。本书全面介绍了SoC的主要构成和设计环节。本书首先介绍了SoC的构成、设计流程和设计方法学，接着分章介绍了处理器子系统、存储子系统、总线、外设及接口子系统。本书注重基本概念、方法和技术的讨论，加强了对SoC设计

本书是编著者结合多年的工程实践、培训经验及积累的资料，并借鉴国内外经典教材、文献和专业网站的文档等编著而成的。本书全面介绍了SoC的主要构成和设计环节。本书依次介绍了时钟及产生电路、复位及其同步化、跨时钟域设计、低功耗设计、标准库、设计约束和逻辑综合、验证、DFT。本书注重基本概念、方法和技术的讨论，加强了对SoC设计

聚焦离子束（FocusedIonBeam，FIB）是微纳材料芯片失效分析的核心技术装备之一。随着材料、器件的微尺度化（纳米甚至原子尺度）、高集成化（每平方厘米集成10亿个以上的功能单元）、多功能化（在多种外场条件下工作），越来越多的材料微结构研究、器件研发涉及聚焦离子束。本书从聚焦离子束的结构原理出发，紧密联系应用与实

本书主要面向电子信息类非微电子专业学生的入门性质的课程，书中将从电子系统设计者的视角，介绍集成电路全产业链各个环节的基本原理和设计基础。本书被列入集成电路新兴领域“十四五”高等教育教材。全书内容包括：绪论、集成电路制造工艺基础及版图设计、集成电路中的元器件、模拟集成电路设计—信号链与电源管理、数字集成电路设计—单元电路

本书分为基础篇、方法篇和应用篇，共七章。基础篇(第一、二章)介绍了什么是不确定性、不确定性量化这一交叉学科的发展现状，以及不确定性建模和相关基础知识。方法篇(第3-5章)从不确定性量化的研究目标出发，梳理了参数不确定性、模型不确定性和逆向建模这3类不确定性量化常见问题及对应量化方法。应用篇(第6、7章)针对不确定性量化

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本书共分7章，主要介绍SOI晶圆制备技术、SOI晶圆材料力学特性与结构特性、机械致晶圆级单轴应变SOI技术、高应力氮化硅薄膜致晶圆级应变SOI技术及其相关效应、高应力氮化硅薄膜致应变SOI晶圆制备、晶圆级应变SOI应变模型、晶圆级应变SOI应力分布的有限元计算。

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本书以MOS器件基础，以电流源、单级放大器、差分放大器、运算放大器、带隙基准以及LDO为重点，讲解了模拟集成电路设计的基本理论。书中通过多个工程实例，详细介绍了一些通用基本模块的设计及仿真过程。主要内容包括：模拟集成电路概论、Aether概述、Aether仿真与范例分析、MOS理论基础与特性仿真、基准电流源设计与仿真、