本书首先简要介绍低维异质半导体材料及其物理性质，概述刻蚀和分子束外延生长两种基本的低维半导体材料制备方法，简要说明了分子束外延技术设备的工作原理和低维异质结构的外延生长过程及其工艺发展。接着分别从热力学和动力学的角度详细阐述了硅锗低维结构的外延生长机理及其相关理论，重点讨论了图形衬底上的硅锗低维结构可控生长理论和硅锗低

本书全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础，全书共分十一章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸镀、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，第十

表面组装技术（SMT）是指把表面组装元器件按照电路的要求放置在预先涂敷好焊膏的PCB的表面上，通过焊接形成可靠的焊点，建立长期的机械和电气连接的组装技术。本书以表面组装技术（SMT）生产过程为主线，详细介绍了电子产品的表面组装技术，主要内容包括表面组装技术概述、表面组装材料、表面涂敷、贴片、焊接、清洗、检测与返修等，其

本书在介绍半导体材料综述，半导体材料的结构、特性及理论基础，半导体材料的杂质、缺陷及其辐射效应，半导体器件应用及纳米半导体材料等的基础上，对国内外发光材料研究、开发与应用领域中取得的成就也进行了阐述。主要内容包括：半导体材料发展简史、半导体材料的主要用途、半导体材料的性能及其与器件的关系等。

本书介绍了硅材料的结构与性能、分类及应用、主要制备技术及工艺，重点对太阳能电池、探测器等硅基光电子器件的结构与原理做了阐述，在此基础上分析了新型广谱硅材料的特点、结构、光电性能、研究现状及其在光电子器件方面的应用。本书中作者围绕硫族元素超饱和掺杂硅材料的制备、结构、特性、超饱和硫掺杂硅探测器与太阳能电池的研制及性能等方

本书从光的特性入手，详细介绍了半导体材料光电特性以及光、电相互作用机制和基本物理过程，重点阐述了半导体太阳能电池、光电导器件、光电二极管、光电耦合器件、CMOS图像传感器、发光二极管和半导体激光器等半导体光电子器件的工作机制、基本物理过程、基本性能曲线、关键参数及影响器件性能的因素等。本书既可作为微电子、光电子及相关学

GaN基宽禁带半导体异质结构具有很高的应用价值，是发展高频、高功率电子器件*优选的半导体材料。本书基于国内外GaN基电子材料和器件的发展现状和趋势，从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件研制等方面详细论述了GaN基半导体异质结构和二维电子气的物理性质、国内外发展动态、面临的关键科学技术问题

光刻机像质检测技术是支撑光刻机整机与分系统满足光刻机分辨率、套刻精度等性能指标要求的关键技术。本书系统地介绍了光刻机像质检测技术。介绍了国际主流的光刻机像质检测技术，详细介绍了本团队提出的系列新技术，涵盖了光刻胶曝光法、空间像测量法、干涉测量法等检测技术，包括初级像质参数、波像差、偏振像差、动态像差、热像差等像质检测技

光刻机像质检测技术是支撑光刻机整机与分系统满足光刻机分辨率、套刻精度等性能指标要求的关键技术。本书系统地介绍了光刻机像质检测技术。介绍了国际主流的光刻机像质检测技术，详细介绍了本团队提出的系列新技术，涵盖了光刻胶曝光法、空间像测量法、干涉测量法等检测技术，包括初级像质参数、波像差、偏振像差、动态像差、热像差等像质检测技

本书共7章，主要介绍了改性锗半导体物理的相关内容，包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗MOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习，可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。本书可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书，也可