本书共七章，内容包括绪论、InAs/AlSb异质结外延材料特性及工艺、InAs/AlSbHEMTs器件特性及工艺、InAs/AlSbMOS-HEMTs基础研究、InAs/AlSbHEMTs器件模型、InAs/AlSbHEMTs低噪声放大器设计以及总结和展望。

与传统半导体器件GaAs和GaN HEMTs相比，InAs/A1Sb HEMTs作为典型的锑基化合物半导体(ABCS)器件具备更高的电子迁移率和电子饱和漂移速度，在高速耗、低噪声等应用方面拥有良好的发展前景。在深空探测方面，InAs/A1Sb HEMTs作为深空探测的低噪声放大器(LNA)的候选核心器件具有无可比拟的优势。因此，本文针对InAs/AlSb HEMTs器件开展了系统研究，在器件特性研究、模型建立、电路设计及制备工艺等方行了较为深入的探讨。