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Organic Field Effect Transistor - Principles and Semiconductor Materials (有机场效应晶体管-原理及半导体材料)

Organic Field Effect Transistor - Principles and Semiconductor Materials (有机场效应晶体管-原理及半导体材料)

定  价:128 元

  • 作者:著:何学侠,姜辉,胡鹏;
  • 出版时间:2026/9/1
  • ISBN:9787030840073
  • 出 版 社:科学出版社
  • 中图法分类:TN386 
  • 页码:257
  • 纸张:
  • 版次:1
  • 开本:B5
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读者对象:高等院校材料、物理和信息等专业高年级本科生、研究生、科研人员等

场效应晶体管(FET)是一种通过电场调控固体材料导电特性的有源器件,凭借体积小、功耗低、热稳定性优异、无二次击穿效应及安全工作区宽等优势,已成为现代微电子技术的核心元件。然而,传统无机FET在器件小型化进程中已逼近物理极限,且存在成本高、大面积制备困难等瓶颈问题。在此背景下,以有机半导体材料作为活性层的有机场效应晶体管(OFET)应运而生。自1986年首个OFET问世以来,其材料设计、器件物理和工业技术等取得显著进展,并在柔性电子、低成本传感等领域展现出独特应用潜力。本书系统阐述了OFET的基础理论与材料体系,涵盖工作机理、半导体材料分类、界面工程、性能表征及前沿应用。全书以英文撰写,兼顾学术深度与学科交叉性,既剖析器件物理的核心原理,亦结合材料化学与工艺学的最新成果。

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