本书系统探讨新型二维铁电材料α-In2Se3的制备、物性调控及其在下一代电子与光电器件中的应用。全书首先概述了二维铁电材料的分类、表征与应用，聚焦α-In2Se3的两种堆垛结构(2H与3R)及其研究进展与挑战。随后重点介绍通过物理气相沉积(PVD)与机械剥离制备二维2Hα-In2Se3的方法，并系统研究其层数依赖的铁电性、负微分效应及各向异性光响应。在此基础上，深入展示了基于该材料构建的铁电场效应晶体管(FeFET)在非易失存储、多态存储及人工突触模拟方面的性能；进一步探索了铁电极化与光电特性的耦合，实现了光增强的极序调控及人工痛觉感受器等神经形态功能。最后，介绍了基于2Hα-In2Se3的非易失铁电半导体结，并展望其在低功耗存储、传感与类脑计算等领域的应用前景。