本书研究建立了三种不同带栅极纳米线(或纳米管)阴极模型(即带栅极平顶纳米线、栅极调制的圆顶纳米线和带栅极开口纳米管)，利用静电场法分别计算出纳米线(或纳米管)表面附近电势、电场和场增强因子的解析表达式，分析了器件结构变化对发射体表面电场、场增强因子和电流密度等重要特性参数的影响。