本书采用高压拉曼光谱测量技术、高压荧光光谱测量技术及第一性原理计算方法，以超薄层(三层、四层)MoS2、多层(bulk)ReS2、单层ReSz、多层(bulk)ZrS为研究对象，系统地研究了它们在高压下的晶格结构、电子结构演化规律，以此来揭示高压调节层状TMDs结构和性质的基本规律，进而为开发新型光电器件提供新的思路和有效的指导。