本书共11章。第1章简要介绍了高压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。第4章讨论了硅门极关断(GTO)晶闸管结构。第5章致力于分析硅基ICBT结构，以提供对比分析的标准。第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。碳化硅MOSFET和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层，以防止其提前击穿。另外，必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管(MCT)结构和基极电阻控制晶闸管(BRT)结构，后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。第10章介绍了发射极开关晶闸管(EST)，该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通和关断，并可利用IGBT加工工艺来制造。这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。