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Ⅲ族氮化物半导体低维结构中的自旋轨道耦合效应

Ⅲ族氮化物半导体低维结构中的自旋轨道耦合效应

定  价:68 元

  • 作者:李明著
  • 出版时间:2023/12/1
  • ISBN:9787568713658
  • 出 版 社:湘潭大学出版社
  • 中图法分类:TN304 
  • 页码:302页
  • 纸张:
  • 版次:1
  • 开本:26cm
  • 商品库位:
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本书共分为8章。第1章是Ⅲ族氮化物材料研究概况,主要概述Ⅲ族氮化物的研究前沿及热点问题、Ⅲ族氮化物材料中的极化效应、Ⅲ族氮化物半导体的自旋电子学等。第2章是Ⅲ族氮化物中的极化效应,主要介绍自洽求解一维薛定谔方程与泊松方程等。第3章是半导体中的自旋轨道耦合效应。第4章是有限差分方法及转移矩阵方法。第5章是AlGaN/GaN异质结中的自旋劈裂。第6章是AlGaN/GaN量子阱中的自旋劈裂和子带间自旋轨道耦合作用。第7章是AlGaN/GaN异质结构中的电子g因子。第8章是AlGaN/GaN异质结构中的电子自旋极化输运。
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