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CMOS模拟集成电路设计

CMOS模拟集成电路设计

定  价:79 元

  • 作者:律博,李鹤楠,丛国涛编著
  • 出版时间:2024/10/1
  • ISBN:9787122466983
  • 出 版 社:化学工业出版社
  • 中图法分类:TN432 
  • 页码:319页
  • 纸张:
  • 版次:1
  • 开本:26cm
  • 商品库位:
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本书以MOS器件基础,以电流源、单级放大器、差分放大器、运算放大器、带隙基准以及LDO为重点,讲解了模拟集成电路设计的基本理论。书中通过多个工程实例,详细介绍了一些通用基本模块的设计及仿真过程。主要内容包括:模拟集成电路概论、Aether概述、Aether仿真与范例分析、MOS理论基础与特性仿真、基准电流源设计与仿真、单级放大器设计与仿真、差分放大器设计与仿真、运算放大器设计与仿真、带隙基准设计与仿真、LDO设计与仿真。本书注重理论与应用相结合,可使读者在了解模拟集成电路设计的基础上,具备一定的工程实践技能。
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