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AlN/GaN基背入射式金属-半导体-金属紫外探测器研究
光电传感器是太空探索、环境监测、工业生产和人们日常生活中常见的一种元件。随着我国对于太空探索的不断深入、工业自动化程度的不断提高,对于光电器件性能的要求越来越高。本书从理论和实践两方面出发,首先提出了一种基于AlNGaN的背入射式3D结构紫外探测器。采用半导体仿真软件分析了AlNGaN基3D结构器件各参数对器件性能的影响规律。第二部分,采用实验方法,制备了不同结构参数的3D器件,并对各器件进行性能测试。最后,结合实验结果和仿真结果分析,得到了影响3D结构器件性能的一般规律。本书研究结果为光电器件设计和应用提供了借鉴,促进光电器件的发展。
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