本书以光电子能谱解析材料表面键电子性能为主要目标，通过改变原子配位受力、受热和掺杂等对哈密顿量中的晶体势进行微扰，以实现内层电子的能级偏移，解析这些偏移并获得(键长、键能、单原子能级、成键电子局域钉扎、非键电子极化原子结合能结合能密度和德拜温度等)基本因变信息，以确定相应的物理参量，并揭示物质行为规律以实现有效控制。