本书是微电子技术领域的半导体物理教程，分为四篇，11章。主要内容为半导体的晶体结构与价键模型、半导体的电子结构：载流子的定性描述；热平衡载流子的定量描述和非平衡载流子的定量描述、三维半导体中载流子的低场电输运；PN结、异质结、金属-半导体的接触、半导体表面效应和金属-绝缘体-半导体结构以及半导体的光吸收、光发射及光电效

本书为高等学校电子信息、材料类、物理类相关专业教材，以贯彻全国教育大会和全省教育大会精神为指导，立足深化高等教育教学改革、提高高等教育教学质量和人才培养水平、推动一流本科课程建设的实际需要，是一本适用于线上线下混合式教学的半导体物理基础简明教材。全书共6章，首先介绍课程的混合式教学设计方案，明确教学目标、教学内容、教学

本书以简明扼要的方式全面地介绍了半导体物理学的基础知识，并结合半导体低维和纳米结构、半导体的发展介绍了相关新进展，内容包括半导体的物质结构和能带结构、杂质和缺陷，载流子的统计分布及其运动规律，非热平衡态半导体，PN结，金属-半导体接触，异质结和纳米结构，半导体表面与MIS结构，半导体效应以及二维半导体。

本书从基本理论、半导体材料、半导体器件方面系统的介绍了与半导体物理学相关的知识。具体内容包括：能带、带隙、电子态密度、受主杂质、施主杂质、浅能级杂质、深能级杂质等。

本书为集成电路领域本科教育教学改革试点工作（简称“101计划”）系列教材之一。全书共8章，分别是：半导体的电子态，半导体中的杂质与缺陷，热平衡时半导体中载流子的统计分布，半导体的导电性，非平衡载流子，PN结，金属-半导体接触，半导体表面与MIS结构。本书还融入了丰富的实验内容与前沿案例，指导读者通过实验手段验证理论知识

本书首先介绍了低维半导体材料的基本概念和量子效应。其次，重点阐述了三角量子阱的结构特性以及极化子的基本概念和理论模型，在此基础上，通过理论计算和实验验证相结合的方式，深入探讨了三角量子阱中极化子的有效质量、声子平均数、基态能量等关键物理量，并分析了这些物理量随量子阱尺寸、形状、外场强度等参数变化的规律。此外，还关注了量

本书主要为理解半导体集成电路器件原理和性能特点做理论铺垫，将重点介绍半导体物理的基础知识和基本概念，全书分为九章，分别是：量子力学与固体物理基础、半导体晶体结构与电子状态、半导体中的热平衡载流子、载流子在电场下的电输运性质、半导体中的非平衡载流子、PN结、金属半导体接触、金属-绝缘体-半导体结构、半导体异质结构。本书可

本套图书以三册的形式呈现，分别为《半导体物理与器件》《半导体工艺原理》《先进集成工艺与技术》，从底层开始，全面系统地介绍芯片的原理与制造。本册为《半导体物理与器件》，主要内容包括：原子的结构、晶体的结构、半导体晶体、能带论、电子在晶体中的运动、半导体中的掺杂与缺陷、平衡半导体、载流子的漂移运动、非平衡半导体、PN结、P

本教材的编写目的是培养学生掌握正确的科学实验方法，提高学生的观察分析能力、应用创新能力和实际动手能力。全书共包括实验项目18个，其中10个为半导体物理实验，8个为半导体器件实验。实验项目是根据我校半导体物理实验教学改革和建设的需要，结合学生实际情况而设置的。作为一门专业实验课程，学生通过独立完成半导体材料和器件特性测试

硅基半导体应变技术是21世纪延续摩尔定律的关键技术之一。根据IRDS(国际设备和系统路线图)对DRAM技术发展趋势的预测,在今后很长一段时间内,硅基半导体应变技术仍然是提升半导体器件与电路迁移率和高场传输特性的可持续改进关键技术。 本书共分为9章,主要内容包括硅基半导体应变理论与技术、硅基半导体应变能带理论与空间群、应