物理学是研究物质、能量以及它们之间相互作用的科学。她不仅是化学、生命、材料、信息、能源和环境等相关学科的基础，同时还是许多新兴学科和交叉学科的前沿。在科技发展H新月异和国际竞争日趋激烈的今天，物理学不仅囿于基础科学和技术应用研究的范畴，而且在社会发展与人类进步的历史进程中发挥着越来越关键的作用。我们欣喜地看到，改革开放
《半导体纳米结构（影印版）》这是一部由各个领域世界级专家共同编写的关于半导体纳米结构的专著，内容包括量子点、自组织生长理论、电子激子态理论、光学特性和各种材料中的输运等。它涵盖了从上世纪九十年代早期到现在的研究工作。本书中的专题都是世界范围内领袖级半导体或光电器件实验室的研究焦点。本书适合在凝聚态物理、材料科学、半导体
纳米半导体具有常规半导体无法媲美的奇异特性和非凡的特殊功能，在信息、能源、环境、传感器、生物等诸多领域具有空前的应用前景，成为新兴纳米产业，如纳米信息产业、纳米环保产业、纳米能源产业、纳米传感器以及纳米生物技术产业等高速发展的源泉与动力。《纳米半导体材料与器件》力求以最新内容，全面、系统阐述纳米半导体特殊性能及其在信息
《微电子与集成电路设计系列规划教材：半导体器件TCAD设计与应用》主要内容包括：半导体工艺及器件仿真工具SentaurusTCAD，工艺仿真工具TSUPREM-4及器件仿真工具MEDICI，工艺及器件仿真工具SILVACO-TCAD，工艺及器件仿真工具ISE-TCAD，工艺仿真工具（DIOS）的优化使用，器件仿真工具（
杨树人、王宗昌、王兢编写的这本《半导体材料(第3版)》是为大学本科与半导体相关的专业编写的教材，介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺，以及特性的控制等。全书共13章：第1章为硅和锗的化学制备；第2章为区熔提纯；第3章为晶体生长；第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷；第5章为硅外延生长；第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物
《国外电子与通信教材系列：功率半导体器件基础》系统介绍了电力电子领域广泛应用的各类功率半导体器件。由浅入深地介绍了器件的基本结构、物理机理、设计原则及应用可靠性，内容以硅功率半导体器件为主，同时也涵盖了新兴的碳化硅功率器件。《国外电子与通信教材系列：功率半导体器件基础》首先从基本半导体理论开始，依次介绍了各类常用的功率
《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管（HEMT）与相关氮化物材料。全书共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，AlGaN/GaN和InAlN/
《半导体制造技术导论（第2版）》共包括15章，第1章概述了半导体制造工艺；第2章介绍了基本的半导体工艺技术；第3章介绍了半导体器件、集成电路芯片，以及早期的制造工艺技术；第4章描述了晶体结构、单晶硅晶圆生长，以及硅外延技术；第5章讨论了半导体工艺中的加热过程；第6章详细介绍了光学光刻工艺；第7章讨论了半导体制造过程中使
《碲镉汞材料物理与技术》系统地介绍了碲镉汞材料的物理性能、制备工艺技术以及材料与器件的关系。材料的物理性能包括了碲镉汞材料的结构、热学、热力学（相图）、电学、光学和缺陷性能，材料的制备工艺技术包括了材料的生长工艺、热处理工艺和各种检测分析技术以及材料制备工艺所涉及的通用性基础工艺技术，《碲镉汞材料物理与技术》同时也对碲
《中外物理学精品书系·前沿系列15：硅基光电子学》是笔者在微纳光电子领域多年研究和教学基础上完成的，系统描述了硅基光电子学的基础理论、器件原理及应用前景。全书共10章。第1～3章讲述了硅基光电子学的起源及所需的基本知识；第4章介绍了硅基无源器件；第5～8章为硅基有源器件，包括光源、调制器、探测器、表面等离子体激元器件等
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