嵌入式锗硅源漏工艺是高端硅基集成电路芯片技术的核心工艺之一，其研发水平直接关系到生产企业生产高端芯片的能力。本书基于国内先进芯片生产线的一线工艺开发过程，阐述了完整的开发过程，并从贴近实际生产的角度凝聚若干科学问题，提出解决这些问题的具体方案，并在实际生产的产品中验证了解决方案的科学性和有效性，有力提升了企业高端芯片生产能力。全书以业界28纳米技术线为依托，聚焦嵌入式锗硅源漏工艺的工艺整合设计、沟槽形成与处理、锗硅外延与缺陷控制、锗硅盖帽层形成、全局与局部负载效应控制、锗钻蚀导致的器件失效、热处理导致的短沟道效应退化、离子注入提升源漏接触特性和高频低噪声锗硅源漏工艺开发等主要内容。

蒋玉龙，复旦大学微电子学院教授、博导，复旦大学教师教学发展中心副主任。主要从事集成电路先进工艺与器件、功率器件、CMOS图像传感器和柔性电子器件研究，在IEEE EDL和TED发表论文35篇。主持国家级一流本科课程和上海市示范性本科课堂课程。曾获 “上海市青年科技启明星”称号，以及“上海市育才奖”、“上海市教学成果奖”、“国家级教学成果奖”、“首届全国高校教师教学创新大赛一等奖”等奖励。 李润领，集成电路高级工程师，复旦大学微电子学与固体电子学专业理学博士。曾先后在国内外12英寸芯片量产代工厂工作，主导研发过40纳米、28纳米和14纳米等工艺，在IEEE EDL和TED等发表论文10余篇，获得国内外专利授权20余项。曾获“张江国家自主创新示范区杰出创新创业人才”称号，以及“第七届中国电子信息博览会金奖”、“上海市 32届优秀发明金奖”、“浦东优秀专利奖”等奖励。 李中华，集成电路高级工程师，张江实验室项目主任。复旦大学微电子学与固体电子学专业理学博士。在新加坡国立大学完成博士后工作，研究方向为硅基三维单片集成器件。曾先后在国内12英寸芯片量产代工厂从事90-40-28-22 纳米及以下节点先进工艺集成研发工作。参与国家01/02专项各1项、国家自然科学基金1项、新加坡国家基金委-应用材料公司项目1项、新加坡科技研究局项目1项。在IEEE EDL等发表论文7篇，申请中国专利25项、美国专利6项。