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新一代非挥发存储器STT-MRAM的设计及应用

新一代非挥发存储器STT-MRAM的设计及应用

定  价:98 元

  • 作者:姜岩峰著
  • 出版时间:2026/3/1
  • ISBN:9787122500663
  • 出 版 社:化学工业出版社
  • 中图法分类:TP333.802 
  • 页码:194
  • 纸张:
  • 版次:1
  • 开本:26cm
  • 商品库位:
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全书共9章,分别是绪论、STT-MRAM存储器的工作原理及STT-MTJ器件模型的建立、STT-MRAM存储器的制备工艺、STT-MRAM存储器电路设计、STT-MRAM存储器失效机制的分析及抗磁性研究、基于STT-MRAM存储器的数据存储架构、STT-MRAM存储器可靠性的研究、基于STT-MRAM的ESD防护电路设计和基于STT-MRAM的辐照加固流水线读写电路设计。
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