砷化镓作为最重要的第二代半导体衬底材料，广泛应用在微电子领域和光电子领域中。高质量的砷化镓衬底要求表面/亚表面无损伤、晶格保持完整、表面粗糙度要求达到亚纳米量级，而化学机械抛光是目前最有效能够实现该项需求的技术。现有关于砷化镓材料去除的研究主要在化学机械抛光复杂环境中进行，通过实验研究不同工艺参数对材料去除率的影响规律，缺乏对砷化镓材料去除过程中化学机械耦合关系的建立，缺乏宏观和微观实验相互佐证的砷化镓材料去除机理的实验研究，也很少涉及对砷化镓晶面各向异性、砷化镓极性、磨粒种类等对砷化镓微观材料去除机制研究，导致目前砷化镓的化学机械抛光仍存在材料去除率低、全局平坦化缺陷控制难等问题。