射频高阻硅基氮化镓异质结外延器件仿真设计及制备技术_关赫著_9787561292181_北京普习文化传播有限公司

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射频高阻硅基氮化镓异质结外延器件仿真设计及制备技术

射频高阻硅基氮化镓异质结外延器件仿真设计及制备技术

定　　价：79 元

作者：关赫著
出版时间：2024/2/1
ISBN：9787561292181
出版社：西北工业大学出版社

中图法分类：TN4
页码：214页
纸张：
版次：
开本：24cm
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内容简介

本书以行业内高阻硅(HRSi)基氨化镓外延和材料的研究成果为基础，以仿真设计为切入点，结合制备工艺，开展了基于高阻Si(111)衬底的氮化镓(GaN)异质结外延器件的技术研究。

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