聚焦离子束（FocusedIonBeam，FIB）是微纳材料芯片失效分析的核心技术装备之一。随着材料、器件的微尺度化（纳米甚至原子尺度）、高集成化（每平方厘米集成10亿个以上的功能单元）、多功能化（在多种外场条件下工作），越来越多的材料微结构研究、器件研发涉及聚焦离子束。本书从聚焦离子束的结构原理出发，紧密联系应用与实践，对聚焦离子束在失效分析中的应用和操作，结合案例进行详解，以期对高校研究生、高年级本科生和高科技企业研发人员的相关学习和培训起到指导作用。

邓昱，南京大学亚原子电镜中心主任，博导，江苏省电镜学会副理事长。陈振，博士，广电计量检测（无锡）有限公司副总经理。汪林俊，中国科学技术大学，高工。王英，上海交通大学，研究员。邹永纯，哈尔滨工业大学，副研究员。

第一章聚焦离子束简介 1.1聚焦离子束原理与分类 1.2聚焦离子束的基本功能 1.3聚焦离子束与各种典型材料的相互作用 第二章聚焦离子束微纳尺度失效分析基本操作 2.1导电与绝缘层材料的切割 2.2导电与绝缘层材料的诱导沉积 2.3保护层的去层与再沉积 第三章芯片失效分析 3.1芯片结构与制程 3.2芯片失效分析原则与全流程 3.3芯片失效分析中的聚焦离子束典型案例 第四章芯片修补 4.1芯片修复原则 4.2芯片修复基本操作 4.3芯片修复典型案例 第五章聚焦离子束失效分析的样品处理 5.1机械处理与化学处理方法 5.2失效分析定位技术 5.3等离子与离子束辅助处理 附录聚焦离子束失效分析案例