1 绪论
1.1 电子陶瓷结构基础
1.1.1 钙钛矿相及稳定性
1.1.2 陶瓷多晶多相结构
1.2 电子陶瓷工艺原理
1.2.1 陶瓷粉体技术
1.2.2 陶瓷成型技术
1.2.3 陶瓷烧结技术
1.3 电子陶瓷主要类型
1.3.1 介电陶瓷材料
1.3.2 铁电陶瓷材料
1.3.3 压电陶瓷材料
1.4 本书研究方法与内容安排
1.4.1 电子陶瓷化学制备法
1.4.2 研究方法与技术路线
1.4.3 本书各章节内容安排
参考文献
2 高能球磨法合成电子陶瓷与物性
2.1 NaNbO3陶瓷高能球磨法合成与致密化烧结行为
2.1.1 NaNbO3纳米粉体的高能球磨法合成
2.1.2 NaNbO3陶瓷的常规烧结致密化行为
2.2 NaNbO3陶瓷的微结构调控与铁电反铁电稳定性
2.2.1 NaNbO3粗晶陶瓷的反铁电结构稳定性
2.2.2 NaNbO3纳米陶瓷的宏观铁电与压电性
2.3 PZT-PNZN陶瓷高能球磨法合成与纳米尺寸效应
2.3.1 PZT-PNZN纳米粉体高能球磨法合成
2.3.2 PZT-PNZN纳米陶瓷介电与压电行为
2.4 PZN-PZT掺杂陶瓷高能球磨法合成与能量收集特性
2.4.1 Mn掺杂PZN-PZT纳米粉体高效合成
2.4.2 掺杂陶瓷的压电性能与能量收集特性
2.5 BNT-NN高温电容器用纳米瓷料合成与介电性能
2.5.1 高能球磨活化纳米粉体物相与微结构
2.5.2 BNT-NN高温电容器陶瓷的电学行为
2.6 本章小结
参考文献
3 共沉淀法合成电子陶瓷与物性
3.1 可溶性铌制备技术
3.1.1 基于Nb2O5可溶性铌化学合成
3.1.2 可溶性铌酸碱度与温度稳定性
3.2 Pb(Fe1/2Nb1/2)O3陶瓷共沉淀法合成与介电性能
3.2.1 Pb(Fe1/2Nb1/2)O3超细粉体的共沉淀法合成
3.2.2 Pb(Fe1/2Nb1/2)O3陶瓷的致密化与电学性能
3.3 Pb(Sc1/2Nb1/2)O3陶瓷共沉淀法合成与介电性能
3.3.1 Pb(Sc1/2Nb1/2)O3粉体合成过程pH影响因素
3.3.2 Pb(Sc1/2Nb1/2)O3陶瓷的致密化与电学性能
3.4 Pb(Sc1/2Nb1/2)O3陶瓷表面活性修饰沉淀法合成
3.4.1 Pb(Sc1/2Nb1/2)O3粉体合成的表面修饰机理
3.4.2 Pb(Sc1/2Nb1/2)O3陶瓷退火时间与电学性能
3.5 共沉淀法制备含铌弛豫铁电陶瓷反应机制讨论
3.5.1 共沉淀法制备含铌弛豫铁电陶瓷条件分析