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定 价：88 元
- 作者：［新加坡］ 陈全胜 ［美］ 罗纳德·Ｊ·古特曼［美］ Ｌ·拉斐尔·赖夫
- 出版时间：2016/10/1
- ISBN：9787515912035
- 出 版 社：中国宇航出版社
- 中图法分类：TN405
- 页码：
- 纸张：胶版纸
- 版次：1
- 开本：32开
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商品库位：
| 本书是一部系统论述3D集成工艺技术的译著，内容涵盖前端工艺至后端工艺，详细介绍了各种3D集成技术的适用范围和局限性，列举了相关工艺的典型应用和潜在应用，并指出了这些关键工艺中存在的问题与挑战。本书适合从事立体集成、集成电路／微系统、先进封装技术研究的工程技术人员以及管理人员阅读和使用，同时也可作为高等院校相关专业师生的参考教材。 |
集成电路延续工艺线宽持续缩小和功能密度持续提升的发展方向面临着许多难以逾越的障碍，3D集成技术是突破平面集成电路发展屏障的有效途径。过去的几年里，在学术界和产业界的共同努力下，3D集成技术得以成功面世。目前，3D 集成按照应用领域可划分为不同的种类，每种技术都有望成为未来可行的技术方案。在本书出版之时，基于TSV 垂直互连的商业立体集成芯片已经问世。
撰写一本3D集成技术书籍的想法可追溯至一年前，当时与3D集成技术相关的文章及会议大量涌现（现在也很多）。但是，在这一新兴领域却缺乏相关的参考书籍。起初的想法是撰写一本书，但是我们很快意识到这是一项艰巨的任务，想在一本书中将不同类型的3D集成技术都阐述清楚将是一大挑战。经过重新审视，我们决定编译一本包含各大学、研究实验室和产业界专家的研究成果的书代替原有撰写计划。在仔细规划后，我们邀请了一支高水平的研究团队来撰写此书的各个章节，从计划出书，到撰写、编辑，再到付梓出版历时整整一年。
本书写作目的是想将前封装的晶圆级3D集成技术的新颖理念呈现给读者，主要内容聚焦于3D集成工艺技术，内容涵盖前端工艺至后端工艺。书中对每一关键工艺都进行了详细的介绍，列举了相关工艺的潜在应用，并指出这些关键工艺中存在的技术挑战。本书适用于正在从事或准备从事3D集成技术领域的研究者或工程师。如果没有一支高水平且具备奉献精神的工作团队，这本书是无法完成的。本书要特别感谢施普林格（Springer）出版社Carl Harris的大力支持，以及前期为本书所做的工作。感谢丛书编辑Anantha Chandrakasan对本书内容提出的宝贵建议。感谢与我们一道工作的Katie Stanne对书稿的编辑工作。感谢MARCO 和DARPA
联合资助的互连研究中心（Interconnect
Focus Center，IFC）和DARPA资助的3D IC 计划对三位联合作者的长期支持，没有他们的支持，3D集成技术研究及本书的编写都无法顺利实现。C. S. Tan早先受到SRC和应用材料研究生奖学金的部分资助， 目前在南洋理工受到Lee
Kuan Yew博士后奖学金资助。最后，对受邀撰写此书各个章节的所有作者表示衷心的感谢。
希望本书能对从事3D集成技术相关研究的广大读者提供切实的帮助，如果您对本书有任何意见和建议，请及时联系我们。 |
| 1单光宝，男，博士生导师，研究员，现为航天九院第二届杰出青年、航天771所TSV立体集成技术负责人。先后承担了基础科研、自然科学基金重点项目、973子课题等多项*重点TSV立体集成项目，研制出国内首个辐射加固4层堆叠TSV SRAM样品，推动军用存储器由平面集成向立体集成的跨越发展。近年来，发表学术论文30余篇，申请TSV相关发明专利17项，6项已获授权。2吴龙胜，总师/研究员，安徽安庆，享受国务院特殊津贴，现为航天科技集团公司学科带头人、核高基总体组专家，从事集成电路、3D-IC设计工作。近年来，发表学术论文40余篇。3刘松，男，博士，陕西西安人，1988年8月出生。主要从事3D IC电学、热机械应力可靠性研究。近年来，近年来，发表学术论文近10篇，申请TSV相关发明专利近10项。 |
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