随着太赫兹技术的发展，传统固态器件在耐受功率等方面已经很难提升，导致现有的太赫兹源输出功率低，不能满足太赫兹系统工程化的需求。宽禁带半导体氮化镓具有更高击穿场强、更高热导率和更低介电常数的优点，在研制大功率固态源、高速调制和高灵敏探测方面具有优势。本书主要介绍氮化物太赫兹器件的最新进展，包括氮化镓太赫兹二极管、三极管、
氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料，在高压功率器件、深紫外光电器件、高亮度LED等方面具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍，重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、薄膜外延方面的研究成果；系统阐述了获得高质量体块单晶及薄膜的
本书以第三代半导体与二维材料相结合的产业化应用为目标，详细介绍了二维材料上准范德华外延氮化物的理论计算、材料生长、器件制备和应用，内容集学术性与实用性于一体。全书共8章，内容包括二维材料及准范德华外延原理及应用、二维材料/氮化物准范德华外延界面理论计算、二维材料/氮化物准范德华外延成键成核、单晶衬底上氮化物薄膜准范德华
氮化铝晶体具有宽带隙、高热导率、高击穿场强等优势，是制备紫外发光器件和大功率电力电子器件的理想材料。本书以作者多年的研究成果为基础，参考国内外的最新研究成果，详细介绍了氮化铝单晶材料生长与器件制备的基本原理、技术工艺、最新进展及发展趋势。本书共7章，内容包括氮化铝单晶材料的基本性质、缺陷及其生长的物理基础，物理气相传输
本书以图解的方式深入浅出地讲述了功率半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为10章，包括俯瞰功率半导体工艺全貌、功率半导体的基础知识及运作、各种功率半导体的作用、功率半导体的用途与市场、功率半导体的分类、用于功率半导体的硅晶圆、硅功率半导体的发展、挑战硅极限的SiC与GaN、功率半导体制造过程的特征、功率半导体开辟绿色
激光热敏光刻具有以下特点:1)宽波段光刻,这类光刻胶的吸收光谱一般都覆盖从近红外到极紫外的整个光刻曝光的波段,可以称之为宽波段光刻胶;2)突破衍射极限的光刻,光刻特征尺寸不再受制于光学衍射极限,而是取决于热致结构变化区域的尺寸;3)跨尺度光刻,光刻中激光光斑的强度一般呈高斯分布,光斑中心的温度高,沿四周扩散并逐渐降低,
本书主要介绍了第一性原理及其在计算机模拟中各种参数的设置问题和实际模拟中的参数选择,以及该方法在基于表面改性设计的氮化镓/氮化铟纳米线、氮化镓纳米薄膜等纳米材料在外场(电场或应变场)作用下电学性质和磁学性质研究中的应用,并将材料进一步拓展到外场下表面改性的类石墨烯(锡烯和锗烯等)纳米材料。
功率半导体器件封装技术
本书主要依据作者研究团队及国内外金属有机框架材料（MOFS）与半导体复合材料的研究进展，系统介绍了不同种类的MOFS半导体异质结构制备方法，表征手段，电荷传递路径，在不同污染环境中的催化应用以及光催化性能机理解释。最后，阐述了此类异质结构在工业应用中的未来方向和发展前景。 本书可供从事金属有机框架材料及其光电
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